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IXFC 22N60P
30
27
Fig. 7. Input Adm ittance
30
27
Fig. 8. Trans conductance
24
21
18
15
12
24
21
18
15
12
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
9
6
3
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
9
6
3
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
70
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Sour ce -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
60
50
40
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 11A
I G = 10m A
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7 0.8
V S D - V olts
0.9
1
1.1
0
10
Q
20
G
30 40
- nanoCoulombs
50
60
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MH z
C is s
100
Fig . 12. Fo r w ar d -Bias
Safe Op e r atin g Ar e a
R D S(on) Lim it
25μs
1000
100
10
C os s
C rss
10
1
0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
100μs
1m s
10m s
0
5
10
15 20 25
V D S - V olts
30
35
40
10
V D
S
100
- V olts
1000
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IXFC52N30P_08 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarHT Power MOSFET HiPerFET